合肥长鑫(Hefei Innotron)2018年第一季度已完成设备安装，一期计划产能为125kwpm，三期全部满产产能为375kwpm。第一阶段做基于19nm平台的8GB LPDDR4产品，主要应用为智能手机，目前已开始投产，预计年底良率可达 10%，明年底良率可达80%左右，实现大规模量产。据中金证券分析师测算，合肥长鑫一期满产后，基于现阶段每片晶圆可切割的容量数以及移动DRAM的单价，在良率以及产能利用率100%的情况下，每年产值可达到66亿左右美金。但分析师认为，由于初期良率较低、产能处在爬坡状态、折旧摊销等固定成本高昂，另外，加入厂商相较海外大厂存在技术上的差距，每单位容量平均的可变成本也会相应增加。因此初期运营厂商会承受很大亏损的压力。

福建晋华项目一共4期，每期设计DRAM产能60kwpm，总计240kwpm。公司预计整体4期满产后可带来500亿人民币的产值，1期收入可在15-16亿美金。目前规划第一阶段主要做25nm 4GB DDR4/DDR3产品，争取2018年研发成功，后续会继续研发1xnm产品。2020年逐步从25nm产线转移至1xnm，2022年争取全部转入1xnm制程，产能达到240kwpm。显然此次晋华之殇将拖累其量产进程。